반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험)
페이지 정보
작성일 23-04-08 08:22
본문
Download : 반도체기초실험리포트E-beam을이용한금.hwp
이유는? A~B는 증착된 금속부분만을 지나가고 B~C부분은 실리콘부분을 지나게 있다
▲ 결 론
표면금속저항과 전극을 통한 Si의 저항을 측정한다. eaporate 된 금속 물질이 Si wafer 표면에
☞ A~B < B~C
순서
1. 성장 두께에 따라 저항값이 다르게 나타났다. 또 같은 물질이라도 단면적이 클수록 이동할 수 있는 틈새공간은 넓어진다.
▲ 실험 목적
(물질의저항) = (물질의 종류에 따르는 상수) * (길이) / (단면적)
지나게 되는 부분(B~C)보다 저항률이 낮게 되는 것이다.
금속을 eaporate 시킨다. 통과해야할 길이가 긴 경우에는 처음 단에서 끝단까지 통과하는데 시간이 많이 걸리게 되고, 이에 따라서 단위시간당 통과하는데 어려움이 있게된다. ☞ 600Å > 900Å
▲ 결 론
반도체 기초 실험 E beam 증착 / ()
▲ 실험 원리
설명
high energy를 가진 전자 beam을 만들고 이를 target material에
반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험)
▲ 성장두께에 따른 저항값 -그림
▲ 실험 목적
▲ 성장두께에 따른 저항값
저항률은 도체<반도체<절연체 ( 10~6 Ωcm < <1010Ωcm )
반도체 기초 실험 E beam 증착
E-baem evaporator를 이용하여 Si wafer 위에 금속을 증착하여
Download : 반도체기초실험리포트E-beam을이용한금.hwp( 68 )
레포트 > 공학,기술계열
2. 측정위치에 따라 저항값이 달라졌다. 그러므로 같은 수의 전자가 투입되어도 이동할 수 있는 틈새가 다르므로 단위시간당 통과할 수 있는 전자의 숫자는 달라진다. 저항을 나타내는 식은 다음과 같다.
▲ 실험 결과 -표
반도체 기초 실험 E beam 증착 / ()
달라붙게 하여 금속 박막을 증착 시킨다.
▲ 실험 결과
이므로 도체인 금속만을 지나는 부분(A~B)이 반도체인 실리콘부분을
다.
▲ 실험 원리
이유는? 모든물질은 그 구성원자의 구조가 다르므로 물질에 따라 자유전자가 이동하는 틈새를 다르게 한다.
