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[공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography

페이지 정보

작성일 24-04-16 02:18

본문

Download : [공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography.docx

experiment(실험) 과정

1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다. 이번 experiment(실험)에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 change(변화)를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 影響(영향)을 주는지 확인하고자 한다.

8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 change(변화)를

9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 experiment(실험)을 반복한다.

(…(To be continued )

4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다.

6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와

7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다.

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다.

[공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography

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순서

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설명

공학,기술,반도체공정,실험,Photo,Lithography,기타,실험과제
실험과제/기타

experiment(실험): Photo Lithography

1. experiment(실험) 목적

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정(measurement)한다.

2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간

노출시킨다.

2. experiment(실험) 방법

가. experiment(실험) 변수
PR 두께
Developing time
Exposure time
1~2 micri meter
90 sec
2 sec
5 sec
10 sec
나. experiment(실험) 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료

다.

3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.

5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.

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